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单片式快速退火炉

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RTX-R200是一款面向先进半导体热处理工艺开发的单片式快速退火设备,适用于硅、玻璃、碳化硅等材料的快速退火、热氧化及热氮化等工艺。

设备具备高温均匀性、高升降温速率与稳定的热场控制能力,可有效提升材料界面性能与器件工艺一致性,广泛应用于先进封装、复合衬底及第三代半导体制造领域。
  • 适用范围:Si、玻璃、石英等材料的快速退火、热氧化、氮化等
  • 工艺温度:最高 1100℃
  • 处理能力:单次1片,对FOUP内所有晶圆连续作业
  • 工艺稳定性:1000±0.5°C(12H)
  • 颗粒管控:<30ea@0.2‌μm~1.0‌μm;<5ea@≥1.0‌μm

规格参数

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