XOI复合衬底键合设备

XOI BONDING SYSTEM

• 适用范围：SOI、POI、SiCOI等先进复合衬底的生产

• 键合方式：大气/高真空直接键合

• 键合真空度：1E-5mbar(MAX)

• 对准方式：边缘对准

• 对准精度：±100‌μm(X/Y)，±0.1°(θ)

• 空洞测量：多头红外线扫描技术

全自动混合键合设备

FULLY AUTOMATED HYBRID BONDING EQUIPMENT

• 适用范围：HBM、3D NAND、CIS、Micro LED等

• 键合方式：亲水直接键合

• 对准方式：可见光+红外对准

• 全片套刻精度：<100nm，矢量

• 标配红外套刻测量：±20nm@3σ

BSPDN对准增强型键合设备

HIGH-PRECISION BONDING SYSTEM FOR BSPDN

• 适用范围：HBM、3D NAND、CIS、Micro LED等

• 键合方式：亲水直接键合

• 对准方式：增强边缘对准，可选配标记对准

• 对准精度：<15‌μm，矢量

• 键合畸变残差：<10nm

D2W混合键合晶圆表面处理设备

D2W HYBRID BONDING PREPARATION AND ACTIVATION SYSTEM

• 适用范围：D2W混合键合晶圆、带框架晶圆表面预处理以及预处理后的UV解粘、键合精度测量

• 模块组成：模块组合定制，UV解粘以及AVM模块可选

• 清洗模块：支持DIW、二流体、兆声、N2、IPA等清洗或干燥方式

• 等离子体模块：双频活化、超低金属离子污染

• AVM模块：±20nm@3σ

高真空异质键合设备

QUAD BOND SYSTEM

• 适用范围：SiC、GaN、InP、GaAs、LT/LN、金刚石等先进复合衬底

• 键合方式：高真空室温直接键合(1E-6Pa)

• 对准精度：±100‌μm(X/Y)，0.1°(θ)，可选：±2‌μm(X/Y)​​​​​​​

键合套刻测量设备

OVERLAY METROLOGY SYSTEM

• 适用范围：W2W、D2W键合片套刻测量

• 对准台行程：X>±150mm，Y>±150mm

• 照明模式：反射式、透射式

• 精度：±20nm@3σ

• 重复性：±20nm@3σ

• 复现性：±30nm@3σ​​​​​​​

键合空洞及键合能检测设备

VOIDS INSPECTION AND BONDING STRENGTH METROLOGY SYSTEM

• 适用范围：基于Maszara模型的键合能检测、键合片空洞测量

• 晶圆尺寸：最大12吋

• 空洞识别分辨率：<250μm

• 标配功能：键合界面监测、空洞识别与筛选、裂纹识别、标准计算与统计功能​​​​​​​