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PRODUCT CENTER

产品中心

矽赫微键合设备独有技术

L/L腔室创新系统

 

显著缩短工艺时间、有效降低颗粒污染、减小机台占地面积

晶圆承载专利技术

 

有效降低键合Void缺陷、适应更宽泛的晶圆形貌、安全可控,防止晶圆脆裂

低金属污染的Plasma腔体

 

石英腔体避免金属材质、最大程度降低放电电压、非常简易的清洁维护

  • 晶圆键合设备

    ▸    通过化学和物理作用将两块已镜面抛光的同质或异质的晶圆紧密的永久结合起来。晶圆结合后,界面的原子受外力的作用而产生反应形成共价键合成一体,并使结合界面达到特定的键合强度。

    ▸    在半导体生产中广泛应用于从衬底生产到器件3D堆叠等等领域。

    ▸    是实现晶圆键合的关键专用设备,需要等离子体处理、水处理、晶圆高精度对准、键合、缺陷检测等高门槛技术。

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  • 快速退火设备

    ▸    专注SiC退火的产品系列(研发中):

    ▸    针对SiC的高温(高达2100度)热处理

    ▸    独特的电阻加热方式

    ▸    快速升温技术

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  • 键合工艺量检测

    ▸    通过化学和物理作用将两块已镜面抛光的同质或异质的晶圆紧密的永久结合起来。晶圆结合后,界面的原子受外力的作用而产生反应形成共价键合成一体,并使结合界面达到特定的键合强度。

    ▸    在半导体生产中广泛应用于从衬底生产到器件3D堆叠等等领域。

    ▸    是实现晶圆键合的关键专用设备,需要等离子体处理、水处理、晶圆高精度对准、键合、缺陷检测等高门槛技术。

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